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国产SiC MOSFET“隐形王者”,打入汽车市场,迎接OBC爆发期

芯链 ? 来源:电子发烧友网 ? 作者:黄晶晶 ? 2021-12-24 19:30 ? 次阅读

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)成立于2018年的派恩杰半导体,从成立之初就聚焦于碳化硅MOSFET,紧锣密鼓布局车规级半导体芯片,并已顺利“上车”,产品已应用于汽车OBC等领域。据悉从销售规模来看,应当是目前国内碳化硅MOS销售体量最大的公司。我们知道,国内的碳化硅产品主要还是集中在碳化硅二极管,推出碳化硅MOSFET的厂商并不多,同时应用到新能源汽车上的更是凤毛麟角。殊不知,派恩杰的SiC MOSFET产品在汽车OBC市场,已经获得了新能源汽车龙头企业数千万订单,并已开始低调供货。

十多年自研技术,突破SiC MOSFET难点


派恩杰半导体创始人黄兴是美国北卡州立大学的博士,在美国有11余年碳化硅、氮化镓功率器件研发和生产的经验,也是全球首款6英寸碳化硅3300伏MOSFET器件和首个可双向耐压碳化硅结终端结构的发明者。他师从IGBT之父B?贾扬?巴利加(B. Jayant Baliga),在Cree / RFMD(Qorvo) / UnitedSiC等有长达十年的SiC&GaN功率器件设计经验。

派恩杰半导体创始人黄兴


2019年3月,派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS,填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS。2021年2月发布1200V大电流车规级MOS,应用于电动汽车电驱单管及模块。

截至目前,派恩杰已经发布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT功率器件产品。



派恩杰的碳化硅MOS对标的是国外大厂的产品,那么具体有哪些优势呢?在接受包括电子发烧友网在内的行业媒体采访时,黄兴进行了分析。

具体来看,派恩杰碳化硅MOS的技术是对标CREE第三代平面栅碳化硅MOS,在数据和实测上做对比,例如行业里面评价碳化硅MOS的一个优劣性指标叫HDFM,它就是器件的Rds(on)×器件的Qgd。派恩杰的产品在整个Rds(on)×Qgd,在所有的平面栅技术里面是最好的。然后,与市面上所有的碳化硅芯片HDFM值对比上,派恩杰HDFM指标仅次于英飞凌,也就说在开关损耗和导通损耗里面,可以给客户最优的解决方案的。

另外,黄兴指出,在客户端实测,我们一些抗极限功况,比如峰值功率、峰值电流和一些雪崩测试,我们现在可以达到相关比较苛刻的工业要求和车规要求。另外在设计端,我们也有自己的一个迭代速度,碳化硅MOS上车主要还是以平面栅的技术为主,我们也是坚持平面栅技术,并会不断迭代优化,像Rds(on)×Qgd这个HDFM指标越做越小,以此保持技术上的先进性。

研发碳化硅MOS的难点在于,碳化硅材料本身的一些模型数据的缺失,最开始很多人都不知道怎么去仿真碳化硅。就算到目前为止,很多商用软件在仿真碳化硅的时候,给出的预测都是非常不准确的。这就给设计者带来了很大的难度,很多人在仿真里面可以设计出来一个很好的器件,但是一旦流片出来,发现跟设计的完全不一样。这里面就是因为整个仿真软件对于像碳化硅这类比较细分的领域,不会专门为碳化硅投入太多的资源,所以导致这方面模型是缺失的。这就需要我们设计者从最底层的物理上的模型,对碳化硅材料进行校准。比如说碳化硅自己的电子迁移率、雪崩击穿模型,以及热学仿真模型,工艺栅氧生长,包括栅氧界面态的一些缺陷的模型,都是需要设计者通过不断的实验去提取迭代,然后完善的。

“我们这个模型是我从09年在北卡州立大学做研究以来,一直不断在这个行业里面积累,包括跟很多业内科学家合作,提取出来这样一个模型,这个模型可以相对准确的让我们的仿真和实验结果匹配程度很好。这样就极大的缩短了我们在碳化硅设计开发的时间,这是一方面。”黄兴进一步说道。

除了在设计上需要精准的底层物理模型之外,另一方面,碳化硅本身材料成本比较高。黄兴博士算了一笔账,一张硅基MOS的wafer成本大概在500元人民币左,一张碳化硅wafer在3万元人民币左右。一个PN(part number)如果按200片的硅晶圆,需要10万元。但200片碳化硅wafer,每片3万块钱人民币,一个(part number)的研发投入至少要600万人民币以上。若开发几十款料号,成本将大幅上升。同时还有迭代的速度也很关键。由于碳化硅加工难度比较大,很多工厂不具备这样的加工条件,就会极大的限制整个研发迭代的速度,这也是目前很多碳化硅公司很难推出成熟产品一个重要原因。

派恩杰合作的代工厂是有30年车规的全球首家提供150mm SiC工艺的X-FAB。派恩杰和X-FAB均表示,双方将持续深度合作,充分发挥派恩杰国际一流水平的产品技术优势和在X-FAB高扩展性和汽车品质的代工服务,降低SiC器件的成本,保障产能,加速SiC功率器件的应用。

SiC MOSFET“上车”,汽车OBC最先起量,主驱逆变还得再等等


汽车OBC即车载充电器,用于在外接电源接通蓄电池之间起到保护作用。早前五年前已有国内龙头企业将碳化硅用于OBC上,有人认为随着充电桩尤其是超级快充桩的普及,OBC将被取代。黄兴认为,事实并非如此。OBC虽然功率比较小,像快充这种充电桩一般都是200千瓦、300千瓦这个体量,而OBC只有11千瓦,最多22千瓦。这个充电速度肯定不能同日而语,但OBC作为一个应急的充电方案给客户在使用电动汽车时提供了一个极大的安全保障。

另一方面,随着电动汽车的普及和应用,汽车OBC也有作为储能电池往外放电的需求。比如户外用电时将电量反向释放给电器设备供电。这在欧美市场有明显需求。而国内一些车厂也将双向OBC作为标配。作为双向解决方案,用碳化硅是最划算的,它跟储能的方案极其类似,能量存在着双向流动,比如输入效率99%,输出99%,综合效率达98%。

从器件的耐压等级来看,派恩杰提供覆盖650伏、1200伏、1700伏三个电压平台的器件。目前派恩杰主要在汽车OBC上面应用的是单管1200伏的碳化硅MOS和650伏碳化硅MOS,这两种耐压器件针对客户的系统电压平台,也就是800伏的系统用1200伏耐压器件,400伏的系统是用的650耐压器件。

然而,对于国产碳化硅MOS应用于汽车电驱,需要过可靠性和产能两个难关。黄兴表示,从国内整个产业链的优势和特点来说,可能先解决量的问题,先至少保证国产供应链在工业级应用的产能,再不断提升可靠性。量的问题依赖碳化硅衬底、外延、代工等厂商的发展速度,需要不断的迭代,预估两三年内能够逐渐实现。

从芯片到模块,将自建碳化硅模块封装产线

派恩杰希望将芯片设计上的先发优势,延展到模块领域。在碳化硅MOS用于工业和汽车领域上,派恩杰积累了大量的数据,因此能够将芯片优势和特性联合到整个模块设计当中。黄兴表示,我们会进行上下联动的调校和优化,让模块去适应芯片,同一个技术能够更好的衔接,类比于英飞凌,它的很多功率模块也是使用自有芯片才做得如此成功。预计派恩杰的自有碳化硅模块封装产线将于2022年初动工,到2022年底将有样品发布。

制造工艺方面,派恩杰的碳化硅模块使用纳米银焊接的技术,出于碳化硅现在的效率考虑,将不会使用双面冷却,而是单面冷却。还会选择工作高温的一些封装材料,来提高整个碳化硅的工作结温,同时提高可靠性。黄兴说,除了工艺制造端的提升以外,我们更多的核心是在联合上下游从材料的挑选到芯片的筛选,到整个模块,我们会建一整套完整的可靠性数据模型,让我们的模块符合车规要求。

由于现在整体碳化硅供应链的资源比较稀缺,而汽车需求又在不断扩大,据悉,在国际龙头企业碳化硅MOS的交期从52周延长到80周。黄兴分析,碳化硅产能的限制不在foundry fab,而是在原材料。比如以Cree的产能为例,Cree等效6寸片的产能大概是一年72万片。假设像GT advanced,II-VI,住友电工,Si Crystal全部加起来是Cree的2-3倍,全球整个原材料的产能也就是一年不到200万片。而全球整个市场需求,仅中国大陆的汽车市场一年就至少需要100万片,全球总需求应该远远超过整个碳化硅原材料供给。

现在很多扩产的策略不是要新建更多foundry,而是更多去验证推动国产衬底原材料厂商的技术,帮助他们迭代,能够让他们释放产能。派恩杰也在foundry和衬底原材料端与国内厂商合作沟通,希望助力国产供应链实现突破和量产。

小结:

碳化硅MOS不限于汽车领域,在工业变频控制器、空压机、水泵、工业传动以及储能、光伏逆变等都能得到应用。派恩杰已经率先进入碳化硅MOSFET领域并实现工业级、车规级量产出货,必将在政策推动、新兴产业蓬勃发展的机遇下,实现更高的成长。

本文为电子发烧友网原创文章,作者黄晶晶,微信号kittyhjj,转载请注明以上来源。如需入群交流,请添加微信elecfans999,投稿爆料发邮件到huangjingjing@elecfans.com。

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    功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件,它不但具有自关断能力,而且具有驱动功率小,关断速度快等优点,是目前开关...
    发表于 11-12 08:50 ? 0次 阅读

    电源器件在电赛中有何应用

    电源的性能指标在具体设计一个电源时,我们的具体目标是根据电源的性能指标来决定的。性能指标决定参数输入输出电压/电流、效率、...
    发表于 11-11 06:06 ? 0次 阅读

    MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢

    MOSFET驱动器的主要用途有哪些? MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢? ...
    发表于 11-08 06:11 ? 101次 阅读

    STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

    部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP保护 热保护 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器模块,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的保护,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
    发表于 05-21 05:05 ? 176次 阅读

    AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

    用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池保护用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分?主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
    发表于 05-20 18:05 ? 249次 阅读

    ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

    或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节?和iOS?应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
    发表于 05-20 17:05 ? 249次 阅读

    STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

    805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
    发表于 05-20 12:05 ? 127次 阅读

    STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

    LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
    发表于 05-20 12:05 ? 118次 阅读

    STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

    电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制模块)第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh?DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
    发表于 05-20 10:05 ? 177次 阅读

    NCP81143 VR多相控制器

    43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-09 11:36 ? 624次 阅读

    NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

    031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
    发表于 07-29 19:02 ? 496次 阅读
    NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

    NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

    1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
    发表于 07-29 19:02 ? 602次 阅读

    LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

    JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 19:02 ? 354次 阅读

    FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

    代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT?可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
    发表于 07-29 19:02 ? 389次 阅读

    FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

    度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT?技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
    发表于 07-29 19:02 ? 1575次 阅读

    NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

    31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 19:02 ? 538次 阅读

    NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

    39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用??于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
    发表于 07-29 19:02 ? 766次 阅读

    ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

    1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔?IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
    发表于 07-29 19:02 ? 562次 阅读

    NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

    49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
    发表于 07-29 19:02 ? 355次 阅读

    NCP81141 Vr12.6单相控制器

    41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 18:02 ? 743次 阅读

    NCP81147 低压同步降压控制器

    47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
    发表于 07-29 18:02 ? 634次 阅读

    NCP5230 低压同步降压控制器

    0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 17:02 ? 602次 阅读

    NCP3030 同步PWM控制器

    0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
    发表于 07-29 17:02 ? 382次 阅读
    NCP3030 同步PWM控制器
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